肖特基勢壘二極管，又稱(chēng)熱載流子二極管。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，有點(diǎn)接觸型和面結合型兩種管芯結構。

為了在真空中從金屬或半異體上放出電子，就必須給電子施加一一定的能量，將這個(gè)能量稱(chēng)為功函數，不同種類(lèi)的金屬和半導體擁有各自不同的固有功函敷值。使兩種材料接觸，

電子會(huì )從功函數小的材料向功函數大的材料方向流動(dòng)。如果使n型半導體與比其功函數大的金屬材料接觸，則與pn結情況一樣從半導體流出電子、而在n型半導體中形成耗盡層，產(chǎn)生接觸電勢。

由于耗盡層使得在金屬和半導體的接觸處產(chǎn)生了整流作用，所以稱(chēng)這樣的整流二極管為肖特基勢壘二極管(Schotky Barrier Diode, SBD)。

另外，當n型半導體與比其功函數小的金屬相接觸時(shí)，由于電子從金屬向半導體的方向流動(dòng)，所以不會(huì )形成耗盡層，也不發(fā)生整流作用，成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)。

SBD是單極型器件，由于不發(fā)生所謂的少數載流子存儲效應，所以電流極性反轉時(shí)反向恢復快，適用于高速開(kāi)關(guān)。但是，對非常高速的開(kāi)關(guān)而言，為了使它也形成耗盡層，對應接合容量的過(guò)渡電流可能會(huì )引起些問(wèn)題。另-方面，正向壓降低也是SBD的優(yōu)點(diǎn)。 

然而，用于高壓的器件制作困難，因此SBD主要限定用于50V以下的低壓高速開(kāi)關(guān)場(chǎng)合。